Cissoid宣布了一种1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模块

发布时间: 2020-04-01 09:13:33 来源:

Cissoid首席执行官Dave Hutton表示:“开发和优化快速开关SiC电源模块并可靠地驱动它们仍然是一个挑战。”“这款SiC智能电源模块是针对极端温度和电压环境开发电源模块和栅极驱动器的多年经验的成果。有了它,我们很高兴支持汽车行业向高效的电动汽车解决方案过渡。”

Cissoid声称,在600V 300A时,导通电阻为3.25mΩ,开关损耗为8.3mJ导通和11.2mJ关断–与IGBT电源模块相比,损耗至少降低了三倍。AlSiC针翅式基板经过水冷,结到流体的热阻为0.15°C / W。在结点和-40°C下的最高工作温度为175°C。

内置三个板载5W隔离电源,可在高达125°C的环境中以高达25kHz的频率切换电源通道。峰值栅极电流为10A,抗扰度> 50kV / µs。隔离等级为3.6kV(50Hz,1min)。初级-次级电容通常为11pF /相。

输入为高电平有效5V施密特触发器输入,具有低电平有效选项,并提供隔离的每相开漏故障报告,具有逐侧选项。

包括的保护包括欠压锁定(UVLO),主动米勒钳制,去饱和检测和软关机。

零件编号为CXT-PLA3SA12450。,且模块尺寸为103 x 154 x 43mm

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