新的中压设备可覆盖12V至32V的电压。这样一来，客户现在就可以获得涵盖10V至200V电压范围的各种不同电压选项的完整产品组合。

这些NMOS / PMOS器件支持汽车AEC-Q100 0级设计，并提供有竞争力的导通电阻(Rdson)数据以及针对Rdson，Idsat和Vth的强大安全工作区域。

通过选择最合适的晶体管，可以针对操作性能和尺寸优化设计。X-FAB的XT018技术也是唯一一种提供全套汽车0级合格存储器选项的技术，包括基于SONOS的闪存和嵌入式EEPROM。

除了提供新型中压器件外，X-FAB还宣布了其去年夏天首次发布的70V至125V高压晶体管的批量生产。

这些器件主要针对不断增长的汽车48V板网和电池管理系统(BMS)IC市场。X-FAB已经收到了许多客户设计，它们在汽车，工业和消费类应用中利用了不同的电压选项。

与传统的批量BCD技术相比，SOI上的BCD在许多方面都有优势，这使其对设计工程师非常有吸引力。

主要优势包括虚拟的无闩锁电路，强大的EMC弹性(由于与掩埋的氧化物/ DTI完全隔离)，用于快速开关DC / DC转换器的最低基板耦合以及简化的地下瞬态处理。

此外，通过大幅减少裸片尺寸以及首次实施就可实现的潜力，可以缩短开发周期并降低每个裸片的成本。

X-FAB的Tilman Metzger表示：“我们很高兴看到客户越来越多地采用我们的180nm BCD-on-SOI工艺，缩小XT018中压方面的差距将使我们的客户能够设计出更具成本效益的产品产品，例如100V和200V高端栅极驱动器和智能集成无刷直流电机驱动器。”