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三星将在2025年推出具有GateAll Around技术的2nm工艺节点

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导读 在2021 年第 5 届年度代工论坛 (SFF) 期间,三星介绍了基于全环栅 (GAA) 晶体管结构的 3nm 和 2nm 工艺节点路线图。据该公司称

在2021 年第 5 届年度代工论坛 (SFF) 期间,三星介绍了基于全环栅 (GAA) 晶体管结构的 3nm 和 2nm 工艺节点路线图。据该公司称,基于 3nm 的芯片设计计划于 2022 年上半年开始生产,而基于 2nm 的芯片将于 2025 年到货。

三星一直致力于将他们的工艺节点迁移到业界最新的工艺节点。3nm 工艺节点将同时采用 GAA 技术和多桥通道 FET (MBCFET) 技术,与 5nm 工艺节点相比,面积减少了 35%,性能提高了 30%,功耗降低了 50%。

三星代工厂将于 2022 年开始为客户生产基于 3nm 的芯片设计,该公司还预计第二代 3nm 工艺将于 2023 年上市。

在 2nm 方面,据报道三星正处于 MBCFET 工艺节点开发的早期阶段,预计 2025 年开始量产。实际上,这意味着最终消费者将从 2026 年开始在设备中看到这些芯片。