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1、NMOS晶体管的工作原理：　　在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。

2、然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。

3、在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

4、MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。

5、　　NMOS晶体管简介：　　NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor。

6、 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

7、 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。

8、由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

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