由KeonJaeLee教授领导的韩国科学技术院研究团队展示了通过选择性调节微真空力来转印大量微型无机半导体芯片。这项研究题为“通过微真空力进行通用选择性转移印刷”，发表在《自然通讯》杂志上。

MicroLED是下一代显示器的光源，采用尺寸小于100μm的无机LED芯片。与LCD、OLED和QD等传统显示器相比，MicroLED因其卓越的电/光学特性、可靠性和稳定性而引起了广泛关注。

为了实现microLED的商业化，转印技术对于将microLED芯片从生长基板重新排列到最终基板上至关重要，并具有所需的布局和精确对准。然而，以前的转移方法仍然存在许多挑战，例如需要额外的粘合剂、错位、转移良率低和芯片损坏等。

李教授的研究团队开发了微真空辅助选择性转移印刷(μVAST)技术，通过调节微真空吸力来转移大量的microLED芯片。

关键技术依靠激光诱导蚀刻(LIE)方法，在玻璃基板上形成20微米大小的高深宽比微孔阵列，制造速度高达每秒7,000个孔。LIE钻孔玻璃连接到真空通道，控制所需孔阵列处的微真空力，以选择性地拾取和释放microLED。

与以前的转移方法相比，微真空辅助转移印刷实现了更高的粘附可切换性，能够以高转移率将具有各种异质材料、尺寸、形状和厚度的微型半导体组装到任意基板上。

李教授表示：“微真空辅助转移为大规模、选择性集成微型高性能无机半导体提供了一种有趣的工具。目前，我们正在研究采用喷射系统的商用microLED芯片的转移印刷，以实现下一步的商业化。”新一代显示器(大屏幕电视、柔性/可拉伸设备)和可穿戴光疗贴片。”